射频磁控溅射相关论文
采用射频磁控溅射法制备了Nb掺杂ZnO薄膜，分析了溅射气压对NZO薄膜的结构及光电性能的影响。结果显示：当溅射气压分别为3.4 Pa、5.4 ......
本文采用Ti O2陶瓷靶及射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了一系列透明Ti O2薄膜,利用X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）对不同衬底温......
采用射频磁控溅射法在石英基底上制备Ga2O3薄膜并在氩气气氛中控制不同的退火温度进行后退火，通过对样品的晶体结构、透射率、表面......
陶瓷材料Li1.3A10.3Ti1.7（PO4）3（LATP）拥有7×104 S cm-1的高离子电导率,原料成本低,同时在空气中具有较高的稳定性,是一种理想的固态......
人类社会的发展对环境造成严重的污染破坏,特别是水污染,对动植物和人们的健康造成了恶劣的影响。对于水污染人们一直在努力进行净......
宽禁带半导体在日盲紫外探测方向具有广阔而重要的前景,所以近年来,以Ga2O3为代表的第三代半导体成为人们研究和讨论的热点问题,其......
由于ZnO宽禁带半导体在发光二极管,激光二极管以及稀磁半导体器件领域有着广泛的应用前景,近年来备受关注成为研究热点。本论文针......
立方氮化硼（c-BN）,是一种人工合成的超宽禁带半导体材料,其禁带宽度在6.1-6.4eV范围内,具有优异的物理化学性能,可通过掺杂形成n型或......
采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜.利用X射线衍射仪和紫外-可见-红外分光光度计分别对Ga2O3薄膜的晶体结构......
氧化锌薄膜晶体管（ZnO-TFT）由于具有低温下大面积制备、光学透明度高、丰富、无毒、低制造成本等优点,所以在液晶显示领域引起了国内......
场致发射显示器(FED)是新型平板显示技术的一种，对于后栅型结构的FED则需要一种绝缘性能良好的介质薄膜来隔离阴极和栅极，而氮化硅(S......
用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上沉积了LiTaO3薄膜, 并在氧气气氛中不同温度下进行退火。采用SEM、XRD、XPS等表征方......
采用射频磁控溅射法制备了用于液晶光阀光敏层的a-Si1-x(CdTe)x∶H薄膜。研究了CdTe含量对氢化非晶硅薄膜光学性能的影响。采用扫......
利用射频磁控溅射方法在玻璃和聚酰亚胺膜（PI）衬底上沉积了氧化铝质量分数为2%的掺铝氧化锌透明导电薄膜（ZnO∶Al）。系统地研究了不同......
在室温下,采用射频磁控溅射法在p-Si(100)衬底上制备了铝酸镧(LaAlO3)薄膜,分别在800 ℃,900 ℃和950 ℃下进行退火处理。利用X射......
采用射频磁控溅射法，在K9 抛光玻璃基底上沉积氧化钒（VOx）薄膜，研究在其他参数保持不变时氧分压参量对薄膜的结构、表面质量及透光性能......
在不同氨分压比(0~30%)下，用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性......
随着第三代通讯技术的发展，声表面波(SAW)器件的使用频率不断提高，从最初的几MHz发展到现在的几GHz。高频应用系统的不断发展显著增......
ZnO具有许多优异的特性，已作为一种压电、压敏和气敏材料较早便得以研究，并被广泛应用于变阻器、转换器、透明导电电极、传感器和催......
随着科学技术的发展，钛酸钡薄膜作为特殊形态的材料，已成为微电子、信息、传感器、光学等技术的基础，并广泛渗透到当前科技的各个领域......
本文采用射频磁控溅射法在Si(100)和石英衬底制备纯 β-Ga2O3和不同浓度的Si掺杂β-Ga2O3薄膜,并且研究Si掺杂对β-Ga2O3薄膜结构......
利用射频磁控溅射与后续热处理技术,通过优化工艺参数,在Si晶片上制备出了镶嵌在介质SiO2中的GaP纳米颗粒。通过XRD、SEM、EDS等测......
采用射频磁控溅射技术分别在Si(100)和玻璃衬底上通过调整不同的溅射功率和退火温度成功制备了MoO3薄膜。利用X射线衍射、扫描电镜......
利用射频磁控溅射技术,在室温下合成了具有纳米调制周期的TiB2/TiAlN多层膜。分别采用表面轮廓仪、纳米力学测试系统、多功能材料......
采用射频磁控溅射制备不同调制周期的TiAlSiN/Mo2N多层膜。利用X射线衍射,扫描电镜,能量弥散X射线谱,纳米压痕仪及摩擦试验机对薄......
电致变色是指材料颜色在外加电场的作用下发生可逆变化的现象。三氧化钨(WO3)是一种重要的电致变色功能材料，WO3薄膜变色前后具有较......
采用射频磁控溅射,通过传统的紫外曝光和湿法腐蚀的方法,制备了不同电极间距的金属-半导体-金属(MSM)结构Mg0.2Zn0.8O可见盲光电探......
采用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了多组分Zn O基陶瓷薄膜,利用Nd∶YAG激光器对多组分Zn O基陶瓷薄膜进行了激光冲击处理,......
在不同基片温度(RT、300、400、500和600℃)下,采用射频磁控溅射法制备了ZnO薄膜和BZN薄膜。研究表明,所制备的BZN薄膜拥有非晶态......
以硅为衬底,采用射频磁控溅射技术制备了TiO_2薄膜,利用扫描电子显微镜及拉曼光谱对退火前后的TiO_2进行表征与结构分析。结果表明......
本论文的主要工作是解决大面积高温超导薄膜的均匀性问题。采用计算机模拟和实验验证相结合的方法，找到了在直径三英寸(约75mm)的衬......
针对传统制铝技术,为提高膜层结合力、阻隔性,采用射频磁控溅射镀铝工艺,制备纯铝高阻隔性膜层,在PET塑料薄膜表面沉积纯铝的实验.......
为获得性能优异的透明介质薄膜,采用射频磁控溅射技术,以ZnS陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上室温沉积纳米晶富锌ZnS薄膜,通过X射线衍射......
近年来,宽禁带半导体材料β-Ga2O3越来越多地受到关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究。射频磁控溅射是常用的β-Ga2O3......
TA15合金是一种性能优异的结构材料,在航空发动机中有着广泛的应用,但是飞机在低空和多沙地区飞行时发动机难免会有细小沙粒的吸入......
垂直结构紫外探测器相较传统平面结构异质结紫外探测器具备多种优点,如电场直接加在结区两侧,电场分布相对均匀,有助于结区内光生......
自电致变色效应第一次被报道以来,在这几十年里,电致变色效应得到了很多的研究,很多电致变色材料被陆续发现和研究,各种各样的电致......
钇铁石榴石铁氧体(Y3Fe5O12)是一种室温以上具有广泛应用的亚铁磁性材料。由于其铁磁共振线宽窄、电阻率高、高频损耗小以及具有较......
氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)在消费级电子产品中占有的市场逐步扩大,消费者对显示设备的分辨率、刷新率的需求日益提高,使用氧化......
无机锂离子固体电解质因其在锂离子高能量密度电池,微小型功率源和器件,电致变色器件和其他电化学方面等的应用受到广泛关注。NASI......
随着对自旋波电子器件研究的不断深入,近年来具有极低阻尼系数的钇铁石榴石薄膜材料成为研究的热点。研究结果表明,基于具有垂直磁......
六方氮化硼(h-BN)是一种人工合成具有类石墨结构的半导体材料,其与石墨烯的晶格失配率仅为1.7%,因此常常被用来作为生长石墨烯的绝......
2019年中国已经成为聚合物生产和消费的第一大国,特别是在航空航天、汽车、电子电气、生物医药等领域具有广泛的应用,然而聚合物表......
