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利用氢化物气相外延法(HVPE)生长GaN半导体,通常使用的蓝宝石衬底与GaN晶格失配高达14％,这样会在生长过程中产生很多位错.研究人员提出了许多估算GaN晶体位错密度的方法,目前在半导体研究领域广为接受的是腐蚀法,利用腐蚀坑密度(EPD)来表征晶体的位错密度.
HVPE-GaN位错密度的X射线衍射分析
【摘 要】
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利用氢化物气相外延法(HVPE)生长GaN半导体,通常使用的蓝宝石衬底与GaN晶格失配高达14％,这样会在生长过程中产生很多位错.研究人员提出了许多估算GaN晶体位错密度的方法,目前在半导体研究领域广为接受的是腐蚀法,利用腐蚀坑密度(EPD)来表征晶体的位错密度.
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220
【出 处】
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第13届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2014年2期
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低频噪声特性分析是研究场效应管器件界面特性及其载流子输运机制的有效手段.在本文中,我们研究了非晶InGaZnO (a-IGZO)基薄膜晶体管的低频噪声特性,并藉此对其界面陷阱态密度进行了表征.我们首先制备了基于磁控溅射淀积a-IGZO的薄膜晶体管(μFE=10.3cm2V-1s-1,SS=O.25V/dec,Vth=5.4V,Ion/Ioff＞108)(Fig.1).
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在利用MOCVD设备生长GaN材料时，很难避免C杂质的进入。而C的存在会对材料性能有诸多影响，为此弄清C在GaN外延薄膜中的浓度及分布状况，对有效控制GaN材料中的C污染，提高相关器件性能无疑是非常重要的。本文利用二次离子质谱仪(SIMS)定量分析了C在GaN薄膜中随深度的变化。
会议
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会议
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会议
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会议
制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构与特性等效的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管,采用步进应力测试比较了不同栅压下器件漏电流的变化情况,然后基于电流-电压和电容-电压测试验证了退化前后漏电流的传输机制,并使用失效分析技术光发射显微镜(EMMI)观测器件表面的光发射,研究了漏电流的时间依赖退化机制.
会议
本文主要是通过APSYS模拟分析软件,研究了三种不同In含量的InGaN发光二极管的发光特性及其物理机制.研究中所用器件为1m×1m垂直结构,包含2μm n-GaN(掺杂浓度为5×1018cm-3),5个InxGa1-xN/GaN有源层(三种结构的In含量分别为:x=0.15,0.22,0.30),20nm的p-Al0.2Ga0.8N(p型掺杂浓度为1×1018cm-3)电子阻挡层,0.2μm p
会议
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会议