【摘 要】
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取代掺杂被认为是一种有效调控石墨烯电学性质的方式之一,进而使其应用于光电器件,太阳能电池等方面.我们发展了一种同时含硼,碳原子的单一固体源通过化学气相沉积的方法
【机 构】
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北京大学化学与分子工程学院纳米化学中心100871
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取代掺杂被认为是一种有效调控石墨烯电学性质的方式之一,进而使其应用于光电器件,太阳能电池等方面.我们发展了一种同时含硼,碳原子的单一固体源通过化学气相沉积的方法制备硼掺杂石墨烯.对于生长后的样品我们进行了表征,证明了硼掺杂石墨烯是均匀单层并具有高结晶质量的薄膜.X射线光电子能谱进一步证实了硼原子取代了石墨烯晶格的碳原子,并且掺杂浓度达到了1.5％.对其进行输运性质的研究,其狄拉克点在30 V左右,显示p型的导电行为,其迁移率可达800 cm2/V·s,最主要原因是单一前驱体分解使生长过程可控.硼掺杂石墨烯的可控制备将为石墨烯应用于光电器件,燃料电池等方面奠定基础.
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