Ga3+掺杂抑制Cu2ZnSn(S,Se)4吸光层不良缺陷改善其光伏器件性能

来源 :第七届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：rzq1988

【摘要】

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元素掺杂在Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)太阳能电池中对于缺陷以及缺陷簇的抑制起着至关重要的作用,本文系统研究了多价Ga3+掺杂取代金属离子的机制。通过对器件进行深能级瞬态谱表征,Ga3+掺杂前后,CuZn 反位缺陷及SnZn 反位缺陷的浓度有显著下降,说明镓的引入抑制了CuZn 反位缺陷和SnZn 反位缺陷。

【作者】

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武四新田庆文杜亚超

【机构】

：

河南大学特种功能材料教育部重点实验室河南开封河南大学特种功能材料教育部重点实验室河南开封

【出处】

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第七届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会

【发表日期】

：

2020年7期

【关键词】

：

Ga3+掺杂缺陷簇带尾态

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