【摘 要】
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我们采用离子注入的方法对ZnO体单晶进行掺杂。本文初步研究了V族离子(P,As,Sb)注入ZnO的性质。为了得到均匀的掺杂层。我们使用SRIM软件进行模拟,对晶体进行多种能量和剂量
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京912信箱,10083
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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我们采用离子注入的方法对ZnO体单晶进行掺杂。本文初步研究了V族离子(P,As,Sb)注入ZnO的性质。为了得到均匀的掺杂层。我们使用SRIM软件进行模拟,对晶体进行多种能量和剂量的注入,希望实现方形离子注入层。我们对注入的样品进行了初步的Raman测试,发现不同离子注入产生的峰相似。另外,我们进行了室温的光致发光测试,只能观察到微弱的发光点,但无法探测到发光峰。测试结果表明注入产生了晶格损伤,并引入了缺陷态。
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