【摘 要】
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溅射深度剖析是将离子溅射与表面元素成分表征结合在一起的一种测量分析技术，其主要目的是为了获得薄膜材料中元素成分的深度分布。在广泛应用于溅射深度剖析定量分析的MRI模型基础上,首先引入了一个考虑择优溅射效应的参量.再假设原子混合长度和粗糙度同溅射深度相关,就可实现对近表层深度剖析中存在的原子间混合长度和粗糙化的非稳态效应的定量表征.在此基础上,对利用三种不同深度剖析技术(AES,XPS和SIMS),
【机 构】
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汕头大学理学院物理系非晶半导体实验室,广东汕头515063 汕头大学理学院物理系非晶半导体实验室,
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溅射深度剖析是将离子溅射与表面元素成分表征结合在一起的一种测量分析技术，其主要目的是为了获得薄膜材料中元素成分的深度分布。在广泛应用于溅射深度剖析定量分析的MRI模型基础上,首先引入了一个考虑择优溅射效应的参量.再假设原子混合长度和粗糙度同溅射深度相关,就可实现对近表层深度剖析中存在的原子间混合长度和粗糙化的非稳态效应的定量表征.在此基础上,对利用三种不同深度剖析技术(AES,XPS和SIMS),得到的同一Si(15nm)/Al(15nm)多层膜样品的深度剖析谱进行了定量分析,比较了相应的溅射深度分辨率.最后,考虑了非稳态的原子间混合和粗糙化效应的MRI拓展模型很好地应用于低能氮离子注入钴薄膜的AES深度谱和硫脲分子的高分辨率GDOES深度谱定量分析中,相应地确定了真实的元素成分分布,实现了近表层深度谱的定量分析。
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