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本文考察了焙烧温度对含V超低载量的Cs-V/SiO<,2>(Cs:V:Si=10:1:1000)催化剂上乙烷选择氧化性能的影响,发现700℃为最佳焙烧温度.
乙烷选择氧化钒系高分散隔离活性位催化剂的研究
【摘 要】
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本文考察了焙烧温度对含V超低载量的Cs-V/SiO(Cs:V:Si=10:1:1000)催化剂上乙烷选择氧化性能的影响,发现700℃为最佳焙烧温度.
【机 构】
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石油大学重质油国家重点实验室(北京)
【出 处】
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第九届全国化学工艺年会
【发表日期】
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2005年期
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