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用离子束直接淀积法生长ＧａＮ和ＢＮ薄膜的研究
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所
【出 处】
：
中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议
【发表日期】
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1993年期
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