氧化镓（β-Ga₂O₃）晶体被认为是一种新型的第四代宽禁带半导体材料[1],禁带宽度4.8-4.9eV,具有透明导电、与GaN晶格失配小、成本低等优点,在深紫外光电器件、LED、功率器件等领域有重大应用前景[2],近年来受到了越来越多的国内外研究者的注意。德国和日本科学家已经分别通过提拉法和导模法生长得到了两英寸β-Ga2O3单晶[2,3],此外,日本科学家还在氧化镓衬底上制作了LED和场效应晶体管,证明氧化镓是高亮度LED和高耐压功率器件的理想衬底材料[4]。目前,我们已分别使用导模法和提拉法生长1英寸β-Ga₂O₃单晶,摇摆曲线半峰宽可达43.2 arcsec,晶体质量良好。初步探索了防止晶体开裂的切割和抛光方法,获得了有效抑制氧化镓分解和挥发的途径,为获得高质量、大尺寸氧化镓单晶奠定了良好的基础。