氧化镓相关论文
超宽禁带氧化镓（Ga2O3）半导体材料禁带宽度为4.5～5.16 eV,理论预测其击穿电场强度达到8 MV/cm,远高于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓等半导......
本文使用导模法（EFG）制备了4英寸氧化镓（β-Ga2O3）单晶,并对晶体物相、结晶质量、缺陷、光学及电学特性进行了研究。晶体不同方向劳厄（L......
氧化镓（Ga2O3）禁带宽度为4.9 e V,紫外吸收边对应为253 nm,是天然的深紫外探测材料,已然成为光电领域的研究热点。近年来,消费者对智......
采用射频磁控溅射法在石英基底上制备Ga2O3薄膜并在氩气气氛中控制不同的退火温度进行后退火，通过对样品的晶体结构、透射率、表面......
近年来，宽带隙半导体材料氧化镓在日盲紫外探测领域的应用引起了广泛关注。本文基于溶液法制备了非晶氧化镓薄膜，采用紫外光退火的方......
基于金属纳米等离子体的局域表面等离激元效应（LSPR）能够增强局域电场强度,并表现出优异的光捕获能力,可有效提升光电子器件的性能.......
β相氧化镓较碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料具有更加出色的材料特性，如更宽的禁带宽度（～4.9 eV）、更高的击穿场强（～8 MV/cm）、更大的......
近年来,人们对紫外探测器的需求日益增加,探测器的微型化、集成化和低功耗成为了人们研究的重点,自供电探测器不需要外加偏压即可......
氧化镓（β-Ga2O3）是新一代的超宽禁带半导体,具有高击穿场强,优越的热稳定性和化学稳定性,在日盲紫外探测和高压大功率电力电子器件......
21世纪以来,电力电子技术已得到了长久的发展,在电力系统、新能源、信息、远洋运输、太空探索等领域有着较为广泛的应用。然而,由......
学位
镓是重要的稀散金属,在我国战略性新兴产业发展中应用广泛。镓多从冶金副产品中提取,含镓二次资源成为冶金综合利用的重要资源。采......
本论文主要研究了影响铁电场效应晶体管与负电容场效应晶体管电学性能的因素,以及ε-Ga2O3对铁电场效应晶体管与负电容场效应晶体......
由于被臭氧层、大气层中水蒸气以及微小颗粒物强烈地吸收和散射,太阳辐射中波长短于280 nm的光在地球表面几乎不存在,所以被称为日......
β-Ga2O3是一种超宽禁带半导体材料,具有高击穿电压以及良好的巴利加优值,禁带宽度高达4.8eV。在大功率器件领域有良好的应用前景,......
因为大气层强烈的吸收和散射,波长小于280 nm的太阳光不能到达地球表面,这一波长区域为光学探测提供了一个低背景窗口,被称为日盲......
以硅（Si）材料为基础的工业半导体取得了前所未有的进步,然而其较小的带隙无法满足半导体器件在高压、高频、高功率以及短波长发光和......
阻变效应可以应用于阻变存储器件、人工神经网络的突触可塑性模拟器件,在存算一体化领域展现出一定的应用前景,近年来成为功能材料......
相比于传统的第一代、第二代和第三代半导体,β-Ga2O3作为一种新型的半导体材料,具有4.8-4.9 e V的超宽禁带宽度和8 MV/cm的超高临......
日盲紫外探测技术凭借其环境噪声低、抗干扰能力强、灵敏度高等优势获得了越来越多的关注,并在短波通信、导弹预警、火灾检测、生......
深紫外探测技术因其空间背底噪声低、灵敏度高等特点而在导弹预警与制导、保密空间通讯、紫外成像、火焰探测和臭氧空洞检测等领域......
由于臭氧层对200～280 nm波段紫外辐射的完全吸收,此波段在大气层中几乎不存在,因此我们称之为“日盲”波段。基于此波段的紫外探测......
随着科学技术的不断进步,电子设备朝着智能化、小型化和便捷化的方向快速发展,器件特征尺寸不断变小,传统Si O2介质层逐渐逼近其隧......
氧化镓作为一种重要的宽禁带半导体,具有高的热稳定性和优异的化学和物理性质。另一方面,稀土离子本身是良好的发光材料,氧化物半......
氧化镓（β-Ga2O3）因其本身良好的稳定性、超宽带隙（4.9 eV）和优良的物理化学特性广泛应用于光电器件、气敏传感器、能源催化、以及日盲......
Ga2O3,一种超宽带隙（Eg～4.9 eV）透明氧化物半导体材料,具有高击穿场强、耐高温、抗辐射性强、化学稳定性好等特性,在微纳光电子领域有......
本论文基于氧化镓单晶衬底和薄膜衬底,制备了不同电极间距的肖特基二极管,对二极管进行了一系列的电学测试,并对测试结果进行了分......
学位
紫外光电探测器在重要领域有着关键地位,如机密空间通信、火焰探测、成像和导弹预警系统等方面,引起了人们越来越多的研究兴趣。氧......
氧化镓(β-Ga2O3)是一种超宽禁带氧化物半导体材料,其相关研究起源于日本.21世纪初,日本东北大学利用浮区法获得了多晶向的高质量......
相比于第三代半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），氧化镓（Ga2O3）具有禁带宽度更大、击穿电场更强、吸收截止边更短、生长成本更低等优点......
为了顺应光电探测器和阵列小尺寸、多功能、高密度集成的发展趋势,报告了一种基于超薄氧化镓(Ga2O3)制成的高性能日盲和X射线双功......
采用光学浮区法生长了尺寸f（79 mm）×（3035 mm）的β-Ga2O3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga2O3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不......
近期,日本信息通信研究机构NICT发布了Ga_2O_3晶体管研制成功的消息。与SiC和GaN相比,Ga_2O_3在低成本、高耐压且低损耗方面显示出......
氧化镓（β-Ga2O3）晶体被认为是一种新型的第四代宽禁带半导体材料[1],禁带宽度4.8-4.9eV,具有透明导电、与GaN晶格失配小、成本低等......
作为一种新型超宽禁带半导体闪烁材料,β-Ga2O3具有以下显著特点:室温下可获得几纳秒的快发光成分;理论光产额可达40800 MeV-1;斯......
Z型光催化体系不仅能够提高光电分离效率,还能有效维持电荷载流子的氧化还原势.然而,该体系往往夹杂II型异质结,这对维持电荷载流......
有机-无机杂化钙钛矿(CH_3NH_3Pb I_3)作为一种新型光电材料,兼顾有机物与无机物的优缺点。因此相对于无机物,拥有制备容易,工艺简......
单斜晶系氧化镓（β-Ga2O3）作为宽带隙半导体中的一员,是一种新兴有潜力的紫外光电材料。近年来,由于其良好的物化性质,而且有优于第......
Ga_2O_3半导体材料共有六种结构。其中单斜相的β-Ga_2O_3由于具有最好的热力学稳定性,并且可以用作单晶衬底,受到人们广泛的关注......
本文制备了机械剥离的氧化镓材料,并且制作了多种不同的肖特基二极管器件。对氧化镓肖特基器件进行了一系列的电学测试并且对测试......
氧化镓是一种新兴第四代宽禁带半导体材料（4.9 e V）,理论击穿场强可达到8 MV/cm,在高功率电力电子器件及深紫外探测器件领域具有广阔......
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料因其带隙宽、热导率高、电子饱和漂移速率大、击穿电压高以及抗强辐射等诸多特色,不仅在蓝......
作为透明氧化物半导体材料之一,单斜氧化镓(β-Ga_2O_3)由于在室温下超宽的带隙(～4.9 e V),从深紫外到红外区域透明,热化学稳定性高......
光催化技术是目前解决人类所面临的环境和能源问题的有效方法之一。传统的光催化剂(如TiO_2,ZnO等)仅对紫外光有响应,不能有效利用......
利用等离子增强原子层沉积技术(PEALD)在c面蓝宝石衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜,研究了退火气氛(v(N2)∶v(O2)=1∶1(体积比)、空......
利用碳纳米管通过碳热法合成了氧化镓纳米线、纳米带和纳米片。采用扫描电镜和透射电镜对其进行了形态和结构表征。合成的氧化镓纳......
