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Background concentration and the photovoltaic response of InGaN/GaN multiple-quantum-well solar cell
【机 构】
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Institute of Semiconductor,Chinese Academy of Sciences
【出 处】
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第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2016年5期
其他文献
β-Ga2O3为直接带隙半导体材料,禁带宽度为4.9eV,击穿电场强度为8MV/cm,是Si的20多倍,SiC和GaN的2倍以上.可以用于高耐压功率器件、紫外探测器以及GaN衬底材料等领域.
Ⅱ-Ⅵ族CdS单晶材料是一类重要的宽禁带半导体材料,具有直接跃迁带隙,室温下带隙宽度约为2.42eV,并且具有优异的光电特性和红外透射性,集光伏效应、窗口效应、声电效应和光电导效应等多种特性于一身,在光、电、磁、光催化等方面都具有较大的应用潜能和重要的战略地位.
There is a great potential in cost reduction for light emitting devices by epitaxially integrating Ⅲ-Nitride semiconductors on large diameter silicon.
碲锌镉(CdZnTe)晶体是宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物，具有优异的光电特性，是制备室温X射线及γ 射线探测器的一种理想半导体材料.CdZnTe欧姆接触特性对探测器性能有重要的影响，一直是人们研究的热点和难点.
Tb具有5D4→7F5的特征能级跃迁，能在许多基质中于540 nm附近产生特征绿光发射，但Tb的猝灭浓度较高且价格昂贵，廉价的Ce作为Tb的敏化剂，可大幅度地提高Tb的发射。
作为GaN基发光二极管和激光器的核心区域,InGaN/GaN多量子阱的发光性能一直是研究的焦点。事实上,尽管InGaN材料本身拥有较高的缺陷密度,其仍然具有较强的发光性能。
GaN基半导体材料由于独特的物理性质使得其在LED以及LD器件中得到了越来越多的重视,具有广泛的应用前景。在GaN基器件中,P型GaN高的电阻率和低的迁移率已经成为了限制GaN基器件发展的一个瓶颈问题,因此对于P-GaN的研究显得尤为重要。
氮化镓作为第三代半导体材料的代表，具有优异的物理和化学特性，使其在在发光二极管和激光器等方面得到广泛的应用。而p-GaN欧姆接触对光电子器件的性能具有直接的影响，因此对p-GaN欧姆接触的研究对提高氮化镓材料在光电子领域的应用具有重要意义。
InGaN基激光器由于其广泛的应用受到越来越多的重视，尤其在可见光波段。但是对于InGaN基紫光激光器仍然存在一系列问题需要解决，例如其量子阱结构相对于绿光激光器较浅引起的电子泄漏较大；量子阱附近的电子阻挡层(EBL)由于其较低的折射率可使光场中心并不完全限制在量子阱区域，导致较低的量子阱光学限制因子和较高的光学损耗；最后一个量子垒(LQB)与EBL界面存在较多的正的极化电荷，导致LQB导带向下弯
InGaN based material and their metal organic chemical vapor deposition(MOCVD)growth technology have attracted a great attention for their successful application in light emitting devices.