【摘 要】
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近年来,人们利用绝热贝里相位(Berry phase)对AHE的内禀机制进行了重新定义和描述,发现铁磁材料的电子能带结构对反常霍尔效应(Anomalous Hall effect,AHE)具有重要影响[1].氮化铁是典型的填隙合金,随着氮含量的变化会展现出丰富的相结构,既能够用氮含量诱导氮化铁相结构的转变,也能在相结构不变的前提下,用氮含量逐渐改变磁化强度的大小,这使其在AHE 理论机制的研究中具
【机 构】
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石家庄铁道大学数理系 石家庄 050043 河北师范大学物理学院 石家庄 050024
【出 处】
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第十六届全国磁学和磁性材料会议暨第十七届全国微波磁学会议
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近年来,人们利用绝热贝里相位(Berry phase)对AHE的内禀机制进行了重新定义和描述,发现铁磁材料的电子能带结构对反常霍尔效应(Anomalous Hall effect,AHE)具有重要影响[1].氮化铁是典型的填隙合金,随着氮含量的变化会展现出丰富的相结构,既能够用氮含量诱导氮化铁相结构的转变,也能在相结构不变的前提下,用氮含量逐渐改变磁化强度的大小,这使其在AHE 理论机制的研究中具有独特价值.
其他文献
近年来,自旋流的注入和探测引起了物理学界的普遍关注.在非磁/铁磁(NM/FM)双层膜这一体系中,利用自旋泵浦、自旋塞贝克等效应可以将自旋流注入到近邻的非磁层,同时通过非磁层的逆自旋霍尔效应探测其注入的效率,成为自旋电子学领域的研究热点[1].Pt/YIG(Y3Fe5O12)双层膜是自旋流注入和探测的理想体系,因为YIG 具有很小的磁阻尼常数同时Pt 具有很强的自旋轨道耦合.
近年来,自旋电子学的新效应引起了物理学界的大量关注.磁性材料与半导体的复合材料成为一个热门的研究方向,其中一种半金属材料——Fe3O4,因为其具有高的居里温度和费米面附近的高自旋极化率,吸引了众多的研究兴趣.在磁电子器件,尤其在自旋注入半导体器件上,Fe3O4/GaAs被看作是一种很有潜质的自旋电子学复合材料.
斯格明子(skyrmion)晶体通常源于非共线的Dzyaloshinsky-Moriya(DM)相互作用[1].斯格明子晶体具有新颖的物理现象和较强的应用前景,是近几年国际上的研究热点之一.但是斯格明子晶体稳定的相图却比较有限,通常仅存在于低温和有外磁场的情况下[2].在垂直各向异性材料上生长周期性的磁性圆盘(vortex),在前期的工作中我们设计并制备了人工斯格明子晶体,其具有和DM相互作用引起
Pt作为具有强自旋-轨道耦合作用的非磁性材料,被广泛应用于自旋流的产生和探测中.当Pt镀在钇铁石榴石(yttrium iron garnet YIG)衬底上时,实验上发现了角度依赖的磁电阻[1].这一现象随后引起了实验和理论物理学家的诸多讨论[2-4].通过控制Pt-YIG的界面,我们实验上证明了Pt/YIG 体系磁电阻具有两个来源:一、Pt-YIG 界面自旋流;二、磁的近邻效应.在室温下,两种贡
近年来,有关反常霍尔效应(anomalous Hall effect)起源问题再次引起了物理学界的普遍关注[1].到目前为止,人们认为AHE 受到的影响主要来自以下三个方面:内秉作用项、螺旋散射作用项和边跳散射作用项.Heusler 合金具有晶体结构简单,但磁结构复杂和有序度连续可调等特点,是研究反常霍尔效应机理的理想磁性材料.我们在Ar 气环境下,使用电弧熔炼的方法制备了Fe2Co1-xCrxS
近年来,具有零能隙半Heusler合金的输运性质引起了人们的广泛关注.这主要是因为强自旋轨道耦合使其能带发生反转而表现出了各种新奇拓扑量子现象,例如:拓扑表面态、非中心对称超导、弱反局域效应等[1,2,3].本文报道了一种具有电子空穴补偿效应的半Heusler 合金LuPtBi的奇特输运性质.
对磁性半导体(Ga,Mn)As性质的调控研究是近年来自旋电子学中的热点,我们在前期的研究基础上[1,2],将自组装有机分子单层引入磁性半导体薄膜的自旋电子态问题中,研究了有机分子与(Ga,Mn)As薄膜界面对(Ga,Mn)As的居里温度、矫顽力、自旋输运以及霍尔效应等的调制作用.Mn掺杂引入的空穴导致(Ga,Mn)As中局域Mn离子之间产生了铁磁交换作用,目前多采用外加电场调节载流子浓度的方法来调
磁性薄膜在高频微波磁性器件中具有重要应用,如:环行器、移相器和滤波器等.由于微波磁性器件的应用频率由材料的铁磁共振频率决定,且铁磁/反铁磁结构在自旋阀中得到了大量应用,因此对铁磁/反铁磁薄膜的铁磁共振和交换偏置效应的研究具有重要意义.
铁磁/重金属双层薄膜中,利用自旋霍尔效应或者Rashba 效应,面内电流诱导的自旋轨道有效场提供了一种有效的方法产生高效的磁化翻转和快速畴壁运动.[1]相对与传统的自旋转移力矩产生于自旋极化的电流,自旋轨道有效场则是利用自旋轨道耦合作用产生的纯的自旋流.
In the recent years,CoPt films with ordered L10 phase (fct structure,space group P4/mmm) for futurehigh density perpendicular magnetic recording media have been extensively investigated due to its hig