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采用金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)在硅和玻璃衬底上生长出了较高质量的Zn1-xMgxO薄膜。二乙基锌(DEZn)和二茂镁(cp2Mg)分别作为Zn源和Mg源，通过高纯A汽的携带输运进入反应室内，高纯氧气作为氧源直接通入反应室内。反应室内的加热系统分为两部分，一部分采用传统的加热丝加热，另一部分选用功率为1500W的高压卤钨灯作光源辅助，灯的强度是通过调节其输入功率来控制的。在MOCVD系统中引入光辅助系统，有利于提高有机源的分解率，并能够改善外延薄膜的质量。本文采用光辅助技术在相同生长条件下在硅和玻璃衬底上制备了三种Zn1-xMgxO薄膜样品。第一种是在衬底上直接生长的样品a，第一种是在具有40nmZnO缓冲层上生长的样品b，最后是在具有20nmMgO缓冲层上生长的样品c。通过低温光致发光、X射线衍和霍尔测试等初步研究了所制备的Zn1-xMbxO薄膜的性质。