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本文简略介绍高能质子在半导体芯片中引起单粒子效应的实验测量和理论分析方法,包括核反应分析方法、半径验方法,介绍了质子和重离子翻转截面间的关系,共用重离子实验数据预测器件在质子环境下的翻转率.
质子在半导体器件中引起的单粒子效应研究
【摘 要】
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本文简略介绍高能质子在半导体芯片中引起单粒子效应的实验测量和理论分析方法,包括核反应分析方法、半径验方法,介绍了质子和重离子翻转截面间的关系,共用重离子实验数据预
【机 构】
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中国科学院近代物理研究所(兰州)
【出 处】
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中国空间科学学会空间探测专业委员会第十五次学术会议
【发表日期】
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2002年10期
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