含钴聚合物前驱体转化陶瓷及吸波性能

来源 :第六届海内外中华青年材料科学技术研讨会暨第十五届全国青年材料科学技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gjzd
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  伴随着新型探测技术、武器攻击、防卫技术的发展,隐身技术作为提高国防生存、防卫和攻击能力的一种重要手段,在现代化国防技术中倍加重要.吸波材料是隐身技术中不可缺少的组成部分,可以通过吸收和衰减雷达波已达到隐身目的.相对其他吸波材料而言,碳化硅陶瓷具有耐高温、耐腐蚀、抗氧化、高强度、低密度、膨胀系数小和介电性能可设计等优异性能,是一种很好的吸波型热结构材料.聚合物前驱体转化是制备碳化硅陶瓷的一种重要方法,与传统的制备陶瓷的方法相比,它能够通过聚合物前驱体分子设计和热解条件的控制得到所需的陶瓷组成和晶相结构,从而可以实现陶瓷的微结构设计,能够更详细的研究碳化硅陶瓷的吸波性能.我们研究了金属元素钻对聚合物前驱体碳化硅陶瓷介电和吸波性能的影响.首先合成一种主链含有炔基的聚硅碳烷聚合物,通过八羰基二钴和炔基的反应得到含有六羰基二钴基团的聚合物前驱体,然后高温裂解得到含有钴元素的碳化硅陶瓷,并研究了其介电和吸波性能.结果表明,当八羰基二钴含量占炔基含量为7.5%,裂解湿度为1100℃时,陶瓷几乎在整个X波段(8.49~12.4GHz)的反射系数均低于-10dB,并在10.55GHz时达到了-41.85dB的最优值,具有优异的吸波性能,作为一种吸波材料,存在了很大的潜在应用价值.
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