【摘 要】
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用十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰了无溶剂处理和有溶剂处理的酞菁铜(CuPc)薄膜有机场效应晶体管(OFET)器件,对比了无溶剂和溶剂苯处理的酞菁铜薄膜有机场效应晶体管器件的性
【机 构】
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燕山大学 河北秦皇岛河北大街438号 066004
【出 处】
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2015年全国高分子学术论文报告会
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用十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰了无溶剂处理和有溶剂处理的酞菁铜(CuPc)薄膜有机场效应晶体管(OFET)器件,对比了无溶剂和溶剂苯处理的酞菁铜薄膜有机场效应晶体管器件的性能,得到当VDS=-20V,VGS=-30V 时,苯处理器件饱和电流约是无溶剂处理器件2 倍多,场效应迁移率提高,器件性能提高。
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