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圆片级可靠性（WLR）评估技术由于其所花时间短，成本低，对工艺改进指导及时，已成为器件可靠性研究的热点。本文将针对VLSI中栅氧的圆片级可靠性评估技术进行研究，分析了氧化膜失效理论，推导出了斜坡式电压与恒压应力间的关系式，给出了利用斜坡式电压测试结果，推算器件氧化膜平均寿命（TDDB）的方法。
VLSI中栅氧的圆片级可靠性评估技术
【摘 要】
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圆片级可靠性（WLR）评估技术由于其所花时间短，成本低，对工艺改进指导及时，已成为器件可靠性研究的热点。本文将针对VLSI中栅氧的圆片级可靠性评估技术进行研究，分析了氧化膜失效理
【机 构】
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北京微电子技术研究所(北京)
【出 处】
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第八届全国可靠性物理学术讨论会
【发表日期】
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1999年期
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