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HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征

来源 :第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：binbin151

【摘 要】

：

利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。研究结果显示，Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶温度，并优化其电学性质。尤其是当Ta含量达到45％时，Hf0.55Ta0.45O样品显示了最大的介电常数～23.8、高的结晶温度～900℃，以及较小的表面粗糙度(RMS)～0.12

【作 者】

：

余涛 陈静 罗杰馨 柴展 伍青青 吴雪梅 

【机 构】

：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 苏州大学物理系,江苏苏州 215006 苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室,江苏苏州 215006

【出 处】

：

第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

【发表日期】

：

2011年7期

【关键词】

：

金属-氧化物-半导体器件 高k栅介质薄膜 微结构 电学性质 

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　　利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。研究结果显示，Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶温度，并优化其电学性质。尤其是当Ta含量达到45％时，Hf0.55Ta0.45O样品显示了最大的介电常数～23.8、高的结晶温度～900℃，以及较小的表面粗糙度(RMS)～0.12nm、平带电压～30mV和低的漏电流密度.

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