文章利用ISE软件进行了浮结(FJ)浓度的变化对SiC UMOSFET击穿电压影响的仿真,分析了FJ浓度变化通过对UMOSFET器件内部电场分布的影......

利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。......

超结结构突破了多子型器件的“硅限”问题,获得了正向导通与反向耐压之间的良好折中.本文提出了超结元胞和终端的设计思路,并对其......

应用直接隧道比例差分（DTPDO）谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷。实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的......

简要介绍了二维半导体器件模拟软件MEDICI的基本特点和使用方法;应用MEDICI程序对MOSFET的总剂量效应、PN结的剂量率效应进行了仿......

随着信息技术的快速发展,亟需探索新型器件来满足当前及未来人们的需求1,2。在电子器件中非常重要的物理现象之一—负微分电阻效应......

研究了MOS器件中的热载流子效应,在分析了静态应力下MOSFET寿命模型的基础上,提出了动态应力条件下MOSFET的寿命模型.此外,还研究......

空间辐射环境是影响航天电子设备长期稳定运行的重要因素，是当前航天电子技术研究的重点。针对目前国内主要的电离总剂量辐照试验标......

功率MOS晶体管的正向导通电阻是器件的重要指标,严重影响器件的使用可靠性。从封装材料、封装工艺等方面论述功率MOS管降低导通电......

使用原子层淀积方法得到了7.8nm厚度的HfO2薄膜并通过直接溅射金属铝电极得到了Al/HfO2/SiMOS电容结构,测量得到了HfO2基MOS结构在......