【摘 要】
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近年来,ZnMgO在制备ZnO/ZnMgO超晶格、量子阱和深紫外光电器件方面引起了人们的重视,然而同ZnO一样,其p型掺杂问题仍未得到很好解决.本文通过在预选衬底上先溅射20nm GaA
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012;大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大
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近年来,ZnMgO在制备ZnO/ZnMgO超晶格、量子阱和深紫外光电器件方面引起了人们的重视,然而同ZnO一样,其p型掺杂问题仍未得到很好解决.本文通过在预选衬底上先溅射20nm GaAs夹层,进而采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在500℃条件下生长厚约400hm的ZnMgO层,制备出As掺杂p型ZnMgO薄膜.室温霍尔结果显示,其空穴浓度为3.0× 1017cm-3,迁移率为0.35 cm2/(V.s).利用该方法,制备出p-ZnMgO/n-GaN异质结,在p-ZnMgO表面制作Au电极,在GaN表面制作In电极；然后将器件在350℃,高纯N2保护下进行合金处理,以形成良好的欧姆接触.图一为p-ZnMgO/n-GaN器件结构示意图,图二为器件的Ⅰ-Ⅴ特性曲线,可以看到该器件表现出良好的p-n结整流特性,进一步说明我们所制备的ZnMgO薄膜为p型导电类型.
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