【摘 要】
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采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了B掺杂纳米硅薄膜。研究了B烷掺杂比、射频功率对掺B纳米硅薄膜生长特性和光电性能的影响。研究结果表明,掺杂少量的B有利于非晶硅
【机 构】
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北京航空航天大学 物理科学与核能工程学院，北京 100191
【出 处】
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2009全国功能材料科技与产业高层论坛
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采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了B掺杂纳米硅薄膜。研究了B烷掺杂比、射频功率对掺B纳米硅薄膜生长特性和光电性能的影响。研究结果表明,掺杂少量的B有利于非晶硅薄膜晶化,随着掺B量的增加又使薄膜变为非晶态;射频功率的增加有利于薄膜的晶化和晶粒的生长,但随着射频功率的继续升高,薄膜晶粒密度有所增加,但晶粒尺寸大小有降低的趋势。通过对p型纳米硅薄膜光电性能的研究,对其沉积参数进行优化,可用于单结纳米硅薄膜太阳电池的制备。
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