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六对棒SiHCl氢还原炉结构与工艺设计中的几个总是探讨
六对棒SiHCl氢还原炉结构与工艺设计中的几个总是探讨
来源 :1998年全国半导体硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zpshwx
【摘 要】
:
该文就反应温度、H〈,2〉气与SiHCl〈,3〉的摩尔比、炉内混合气体量及其运动状况、炉膛容积、吸热和辐射传热表面积等对还原反应效率和多晶硅产品质量的影响进行分析,并在六对棒SiHCl〈,3〉氢还原炉结构和工艺设计中加以应用,对在运行中的有关问题进行了讨论。
【作 者】
:
丁国江
【机 构】
:
半导体材料研究所
【出 处】
:
1998年全国半导体硅材料学术会议
【发表日期】
:
1998年12期
【关键词】
:
六对棒SiHCl氢还原炉结构与工艺
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该文就反应温度、H〈,2〉气与SiHCl〈,3〉的摩尔比、炉内混合气体量及其运动状况、炉膛容积、吸热和辐射传热表面积等对还原反应效率和多晶硅产品质量的影响进行分析,并在六对棒SiHCl〈,3〉氢还原炉结构和工艺设计中加以应用,对在运行中的有关问题进行了讨论。
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