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本文利用X射线光电子能谱技术(XPS)对氮等离子体处理前后的SiO2/4HSiC(0001)界面样品进行分析,结果显示,氮钝化过程中,N与SiC禁带中能级位于Ec附近的siOxCyv和碳团簇缺陷发生反应,降低了缺陷含量并同时生成能级靠近Ev的siOxNy和C-N键成分,进而减小了靠近Ec处的缺陷对界面态密度的影响,从界面缺陷变化角度明确了氮钝化工艺改善SiO2/SiC界面特性的微观机理。