【摘 要】
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本文在常温下使用ZnAl合金靶材,采用直流磁控反应溅射技术,在PI柔性衬底上制备掺铝氧化锌(ZnO:Al,AZO)热电薄膜.通过改变氩氧比及退火热处理对薄膜的微结构和热电性能进行
【机 构】
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深圳大学物理科学与技术学院,深圳大学薄膜物理与应用研究所,深圳市传感器技术重点实验室,深圳518060
【出 处】
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TFC`15全国薄膜技术学术研讨会
论文部分内容阅读
本文在常温下使用ZnAl合金靶材,采用直流磁控反应溅射技术,在PI柔性衬底上制备掺铝氧化锌(ZnO:Al,AZO)热电薄膜.通过改变氩氧比及退火热处理对薄膜的微结构和热电性能进行调控.研究发现:所制备的AZO薄膜均呈N型热电半导体特性,为六方纤锌矿结构,具有明显的c-轴择优取向.退火温度为523 K的AZO薄膜具有最优的结晶特性.氩氧比为40:6,退火温度为523 K时,薄膜的功率因子随着温度的升高逐渐上升,其功率因子也是不退火热处理条件下最大的.在获得较优的热处理条件下,本文进一步研究了不同Al掺杂量对AZO薄膜热电性能的影响.结果表明,Al掺杂量为3%的AZO薄膜的结晶最好,而且Seebeck系数也最高,绝对值为101μV/K;Al掺杂量为2%的AZO薄膜的电导率和功率因子最高,分别为3.7× 104S/m和0.53× 10-4W/mK2.
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