【摘 要】
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GaN基电子器件因其高二维电子气密度、高电子迁移率和高击穿电压等显著优点受到国内外关注。经过十几年的发展,GaN基器件研究取得重大发展但任有许多问题亟待解决。如器件在大漏电压或RF条件下下出现电流崩塌效应,高压或高温条件下栅泄露电流增大。减小栅极漏电流的一个有效手段是在金属栅极与半导体之间引入绝缘层或者氧化层形成MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)型HEMT或MIS(Met
【机 构】
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中国科学院苏州纳米器件和应用重点实验室,苏州,215123
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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GaN基电子器件因其高二维电子气密度、高电子迁移率和高击穿电压等显著优点受到国内外关注。经过十几年的发展,GaN基器件研究取得重大发展但任有许多问题亟待解决。如器件在大漏电压或RF条件下下出现电流崩塌效应,高压或高温条件下栅泄露电流增大。减小栅极漏电流的一个有效手段是在金属栅极与半导体之间引入绝缘层或者氧化层形成MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)型HEMT或MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)。为了进一步提高器件饱和输出电流、最大转移跨导,减小栅极漏电流并同时抑制短沟道效应,高-k材料成为栅介质的理想选择(源漏饱和电流IDS=k(VGS-VT)2；器件跨导G=((e)IDS/(e)VGS)|VDS)。目前MOS(MIS)型半导体电子器件HEMT中广泛采用的栅介质包括SiO2、Si3N4、Al2O3等,具有高K栅介质MOS(MIS)结构已经成为HEMT器件的发展趋势。
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