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近年来，在研究硅和锗的发光特性时发现，低维纳米结构能使其能带发生变化并带来很强的PL发光，考虑到大量的实验制备通常形成的是纳米薄膜，本文以硅和锗的纳米薄膜为研究对象，通过第一性原理计算展现硅和锗薄膜的能带结构变化。
硅锗薄膜能带结构研究
【摘 要】
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近年来，在研究硅和锗的发光特性时发现，低维纳米结构能使其能带发生变化并带来很强的PL发光，考虑到大量的实验制备通常形成的是纳米薄膜，本文以硅和锗的纳米薄膜为研究对象，通过第一性原理计算展现硅和锗薄膜的能带结构变化。
【机 构】
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贵州大学物理学院,纳米光子物理研究所,贵阳,550025
【出 处】
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中国物理学会2016年秋季会议
【发表日期】
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2016年5期
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