【摘 要】
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本文用电子束蒸发法制备了c-BN薄膜，衬底采用单面抛光n型Si(100),在背底真空为1.3×10-3 Pa,电子枪束流为80 mA,衬底温度为室温的条件下蒸发镀膜40 min,再将BN薄膜样品在氮气保护下900℃退火1 h.所得BN薄膜含量用傅里叶变换红外光谱(FTIR)进行表征,c-BN薄膜中立方相含量约为90％，使用紫外-可见光谱仪采集薄膜样品的反射光谱R(λ),根据反射光谱R(λ)利用Kr
【机 构】
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北京工业大学应用数理学院,北京 100124
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本文用电子束蒸发法制备了c-BN薄膜，衬底采用单面抛光n型Si(100),在背底真空为1.3×10-3 Pa,电子枪束流为80 mA,衬底温度为室温的条件下蒸发镀膜40 min,再将BN薄膜样品在氮气保护下900℃退火1 h.所得BN薄膜含量用傅里叶变换红外光谱(FTIR)进行表征,c-BN薄膜中立方相含量约为90％，使用紫外-可见光谱仪采集薄膜样品的反射光谱R(λ),根据反射光谱R(λ)利用Kramers-Kronig变换关系,得到样品的折射率n和吸收系数α。
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