Ti-Al-V-O纳米管阵列的制备与热稳定性研究

来源 :2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yideng
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  本文采用醇基阳极氧化介质成功地在Ti6A14V合金表面制备出大面积Ti-AI-V-0纳米管阵列。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDXA)对纳米管阵列的表面形貌、微结构和热稳定性进行了表征。实验结果表明:在醇基溶液中采用阳极氧化方法制备大面积氧化物纳米管阵列时,若阳极氧化外加电压较低,则温度效应不大,合金表面难形成大长径比的氧化物纳米管阵列,表面为多孔纳米结构;随着反应温度和外加电压的升高,Ti-AI-V表面可形成双氧化物层(表面为不均匀多孔纳米结构、下部为具有两种不同直径的纳米管阵列);在外加电压为30 V时,多孔纳米结构溶解,在双相区均获得纳米管阵列。阳极氧化后,表面AlV含量降低。Ti-AI-V-O纳米管阵列管长约900 nm、管径约90 nm、壁厚约7.4 nm.Ti-AI-V-O纳米管阵列在550℃下晶化后其表面形貌可保持规则的纳米阵列结构,而在更高温度下热处理可导致纳米管阵列局部坍塌并发生表面烧结致密化现象。
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