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叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm，由S参数测量推出器件的截止频率f<,T>和最高振荡频率f<,max>分别为12GHz和24GHz。
AlGaN/GaN HEMT器件研究
【摘 要】
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叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm，由S参数测量推出器件的截止频率f和最高振荡频率f分别为12GHz和24GHz。
【机 构】
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信息产业部电子第十三研究所(石家庄)
【出 处】
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全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2000年期
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期刊
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