跨导增强型折角石墨烯场效应晶体管

来源 :中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sendan

【摘要】

：

分析研究了悬栅折角石墨烯场效应晶体管(FET)的输运特性,以及折角尖端场致发射特性.相比于悬栅平面石墨烯FET,折角石墨烯FET结构因急剧增大的电场强度可以有效地增强石墨烯沟

【作者】

：

曹桂铭刘卫华曹猛李昕王小力

【机构】

：

西安交通大学,电子与信息工程学院,西安,710048

【出处】

：

中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会

【发表日期】

：

2016年期

【关键词】

：

跨导增强型折角石墨场致发射特性漏电流场效应晶体管 FET

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

分析研究了悬栅折角石墨烯场效应晶体管(FET)的输运特性,以及折角尖端场致发射特性.相比于悬栅平面石墨烯FET,折角石墨烯FET结构因急剧增大的电场强度可以有效地增强石墨烯沟道中电荷的积累,从而将跨导值提高了20倍.同时,局域增强的电场不可避免地引发场致发射导致漏电流,理论计算得到漏电流JFE随着内导电流JDS增大而增大的非线性关系曲线,其中JFE比JDS低4个数量级.通过折角结构提高悬栅石墨烯FET的栅极控制能力或跨导值是可能并且有效的方式.

其他文献

碳纳米管块状晶体结构的场发射及其应用

　　基于批量生产的超顺排碳纳米管我们制备了具有宏观尺度的碳纳米管体状材料，其中的碳纳米管排列取向基本一致，直径分布均匀；进一步通过高温高压处理，发现得到的样品出现了大概

会议

纳米金刚石及其复合材料的制备和场发射

　　纳米金刚石是一种重要的场发射材料，因其具有很多优良的性质，在很多情况下具有很好的应用前景，故仍然一直受到研究者的关注。本文主要研究纳米金刚石及其复合材料的制备及场

会议

纳米金刚石复合材料制备应用前景场发射特性场发射材料研究者性质

ZnO纳米棒/纳米锥阵列制备及其场发射性质研究

采用化学气相沉积法在厚度约450nm的ZnO晶种层上分别生长了ZnO纳米棒/纳米锥阵列,并对其场发射特性进行了研究.研究结果发现:沿c轴择优取向的ZnO晶种层中含有较少缺陷;长度分

会议

碳纳米管场发射阵列行波管电子枪

　　传统的热阴极因工作温度高、启动速度慢、热耗散大和实现精细结构困难等缺陷大大限制了行波管性能的提升，碳纳米管场致发射阴极(CNT FEA)正好能克服热阴极的上述缺陷而被

会议

碳纳米管场发射阵列场致发射阴极行波管热阴极发射性能缺陷启动速度

ZnO缓冲层厚度对GaN纳米薄膜的场发射性能影响

为了获取具有质量良好的场发射GaN纳米薄膜,利用激光脉冲沉积系统(PLD)在衬底温度为300℃的Si衬底上分别沉积了38nm,50nm,64nm和130nm的ZnO缓冲层,随后在缓冲层之上(衬底温度

会议

多层ZnO-HfOx薄膜结构的发光特性研究

在p型硅衬底上制备的基于HfOx薄膜的MOS结构器件,加电后会在介质层形成导电通路,可热致激发出连续光谱的可见光.为研究ZnO-HfOx层对器件发光特性的影响,在p型硅衬底上制备了1

会议

真空电子器件用碳纳米管冷阴极电子枪研究进展

　　碳纳米管作为优异的场致发射冷阴极材料在真空电子器件上有着广阔地应用前景,是目前国内外在该领域的研究热点之一。本文报道了国内中山大学和电子科技大学联合研制的多

会议

金刚石薄膜二次电子发射性能的研究

CVD法所制备的金刚石薄膜自然地具有氢终端和负电子亲和势,非常有利于二次电子的发射.本文探讨了CVD法制备金刚石过程中,衬底温度对金刚石薄膜质量及形貌的影响,同时研究了所

会议

金刚石薄膜二次电子发射系数衬底温度二次电子发射特性制备负电子亲和势CVD法薄膜质量

真空沟道MOS二极管电子发射性能的数值模拟研究

真空沟道金属-氧化物-半导体(MOS)二极管是一种电子在真空沟道中的弹道传输与固态电子器件结构相结合的产物,兼具了真空电子器件和固态电子器件的优点.本文提出一种圆形真空

会议

真空电子器件沟道MOS二极管结构电子发射性能固态电子器件有限积分技术数值模拟研究

MgO/Au复合薄膜的表面形貌及其二次电子发射特性的研究

在电子束持续轰击下由于表面电荷积累,MgO薄膜的二次电子发射系数会随着时间逐渐减小,掺入Au能有效地提高薄膜的导电性,抑制表面电荷积累效应,改善其二次电子发射特性.本文采

会议

跨导增强型折角石墨烯场效应晶体管

与本文相关的学术论文