Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶中的元素分布

来源 :第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:quixotic
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采用Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶SiGe薄膜.通过X射线衍射(XRD)对多晶SiGe薄膜特性进行了表征,采用俄歇电子深度分布谱(AES)对Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶过程中的元素分布进行了研究.并对Ni诱导非晶SiGe结晶的机制进行了探讨.
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