【摘 要】
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本文提出一种槽栅MOS控制的TMCT品闸管。该器件为六层结构，包括品闸管部分、PNP品体管部分和槽栅控制部分。借助仿真软件MEDICI分析该器件的电流分布和i-v特性，并与EST器件和IGBT器件对比；结果表明TMCT能具有更小的元胞、更均匀的电流分布和更大的电流饱和能力。理论分析表明该器件同时具有较高的击穿电压，更大的安全工作区。
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都 610054 电子科技大学 电子薄膜与集
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会
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本文提出一种槽栅MOS控制的TMCT品闸管。该器件为六层结构，包括品闸管部分、PNP品体管部分和槽栅控制部分。借助仿真软件MEDICI分析该器件的电流分布和i-v特性，并与EST器件和IGBT器件对比；结果表明TMCT能具有更小的元胞、更均匀的电流分布和更大的电流饱和能力。理论分析表明该器件同时具有较高的击穿电压，更大的安全工作区。
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