硅薄膜相关论文
能源储存是现代生活的关键推动力。锂离子电池已经投入商业生产30年。锂离子电池（LIB）被认为是便携式电子设备和移动电话最重要的电......
系统研究了退火温度对硅薄膜结构和光学性能的影响。通过电子束蒸发工艺制备硅薄膜，然后在氮气保护下对薄膜样品在200～500°C范围内......
采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变CO2流量制备了不同氧含量的非晶氧化硅薄膜。利用紫外可见吸收谱、傅里叶红外吸收谱和......
光学薄膜损伤阈值是衡量光学薄膜抗激光损伤能力的重要参数,而要实现损伤阈值的测试必须先实现薄膜损伤的判识。利用光声频谱特性......
瞬态电子器件具有在到达预定的使用时间或者在外界条件可控触发下完全失效甚至降解的特性。硅是现代电子工业中应用最为广泛的半导......
综合考虑纳米硅结构薄膜的特殊性质,如量子限制效应、光学带隙和光跃迁振子强度对纳米硅粒径尺寸的依赖特性以及光吸收的温度依赖......
综合考虑纳米硅结构薄膜的特殊性质,如量子限制效应、光学带隙和光跃迁振子强度对纳米硅粒径的依赖特性以及光学带隙和光辐射的温......
在短波红外区域(1～3μm),硅薄膜材料因其具有折射率高、透明性好、膜层应力易匹配等诸多优点而得到广泛应用。基于改进后的Sellmeie......
柔性衬底太阳电池具有重量轻、可卷曲等特点，有非常广泛的用途，已经成为国际光伏领域研究热点。但是由于不锈钢带和聚酰亚胺等柔性衬......
金属诱导晶化是一项有发展潜力的低温多晶化技术。本论文在分析现有金属诱导晶化方法的不足之处基础上，提出了两种新型的制备高质量......
随着经济的不断发展和能源的日益枯竭,能源已经成为影响社会进步的重要因素。太阳电池是太阳能利用的主要工具,因此开发低成本、高......
P型窗口层是影响非晶硅(a-Si)和微晶硅(μc-Si)薄膜太阳电池整体性能的重要因素之一.本论文采用七室连续RF-PECVD系统,用常规掺杂......
本文全面介绍了镀膜玻璃的发展概况、薄膜均匀性和附着力的研究现状、镀膜玻璃的制备技术等。并详细阐述了化学气相沉积（CVD）方法的......
近年来，随着微电子器件小型化的发展，迫切需要有相应尺寸的微型供能系统与之相适应，电源系统的微型化是微电机械系统得以进一步广泛应......
硅薄膜有非晶硅（a-Si）薄膜和多晶硅（p-Si）薄膜两种，其性能优异，能取代晶体硅应用于太阳能电池。a-Si和p-Si薄膜用来制备太阳能电池，不仅制......
本文采用磁控溅射技术间接/直接制备了晶态硅薄膜。间接法是指对磁控溅射沉积的非晶硅薄膜进行后续退火处理来使其晶化的方法；直接......
硅薄膜太阳能电池作为一种新型太阳能电池,因其低耗材、低成本、制备工艺简单和便于大规模生产等优点,使其具有广阔的市场应用前景......
本课题采用射频磁控溅射法,通过调节Ar气流量与基体负偏压的大小直接制各了两组具有一定晶化程度的Si薄膜。借助X射线衍射仪(XRD)......
大面积、稳定和可控性强的等离子体源一直是研究热点,在太阳能电池及半导体薄膜材料领域都有着广泛的应用前景,由此我们通过引进与......
由于太阳电池的禁带宽度的限制,如非晶硅薄膜电池的禁带宽度大约在1.7eV左右,微晶硅薄膜电池的禁带宽度可在1.1eV～1.4eV之间调变。......
本文利用中频脉冲磁控溅射方法,以掺杂Al 2wt%的Zn:Al合金靶为靶材,制备了用于硅薄膜太阳电池的绒面ZAO透明导电薄膜。研究了氧流......
随着各种便携式电子设备的广泛应用，以及近年来研究技术以及应用领域(如电动汽车和智能电网等)的拓展，开发高能、安全、低廉、环保的......
通过选择合适的放电驱动频率,调控离子能量、离子通量、等离子体密度、电子温度,来沉积有不同结构特性的硅薄膜,成为调控薄膜结构......
能源技术的发展是推动人类科技进步的重要组成,现阶段随着科学技术的进步,传统能源已逐渐无法满足人类历史发展的进程,人类对新型......
简要介绍了纳米晶硅薄膜的微结构表征方法,重点讨论了PECVD制备方法中工艺参数对薄膜结构的影响,并探讨了氢在薄膜形成和生长中的......
从热力学角度对 L PE中同时存在的 Si氧化与 Si O2 腐蚀的动态平衡过程进行了分析 ,表明在 Si的低温同质液相外延中 ,一般的 L PE......
超薄、平整的硅应变薄膜对于制作低量程的电容式压力传感器是非常重要的。提出一种简单的超薄薄膜制作方法,利用浓硼扩散、KOH自停......
本文采用VHF-PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响.电学特性和结构特性测试结果表明:在......
采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料......
采用恒电位诱导组装法,在40℃、2.5V恒电位条件下,在FTO导电玻璃上制备硅薄膜,并分别通过循环伏安曲线(CV)、红外光谱仪、扫描电子......
利用甚高频等离子体增强化学气相沉积法(VHF-PECVD),通过改变氢稀释比制备出一系列硅薄膜样品。由弱光条件下光电导谱分析了材料的......
采用喇曼 (Raman)散射谱、高分辨率电子显微镜 (HRTEM)和原子力显微镜 (AFM)对掺磷纳米硅薄膜的微结构进行了分析 ,并对纳米硅薄膜......
对硅基MEMS的可动部件很多都是采用在带图形的硅衬底上制备的硅薄膜通过深槽腐蚀释放获得的特点，开展在带图形的硅衬底上制备硅薄膜......
当前的光伏产业正由基于晶体硅的“第一代”技术，向使用薄膜的“第二代”技术转变。然而，“第三代”技术在近期由于“4倍聚光＋跟踪＋太......
利用等离子体增强（PECVD）法和快速热处理（RTP）法分别在玻璃衬底上制备了硅薄膜.用光谱测试仪器,对2种方法制备的硅薄膜进行了研究.结果......
在双曲双步输运模型基础上建立数值模型，针对超短脉冲激光作用下硅薄膜的微观能量输运过程展开理论研究。针对电子、晶格超快温升响......
日本北陆尖端科学技术大学院大学日前宣布，其研究小组开发出能制作大面积硅薄膜“silicene”的技术。这种只有一个原子厚的薄膜，可具......
采用APCVD工艺用硅烷和乙烯为原料在620℃沉积硅薄膜.用AFM观察薄膜表面形貌,用SEM扫描截面测量薄膜厚度.FTIR光谱表明薄膜中存在S......
提出了一种基于Si压阻效应的新型MEMS气体传感器，其结构主要是由制作在Si薄膜表面的惠斯通电桥和在Si薄膜表面淀积的一层聚合物气敏......
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术，在一定射频功率、衬底温度和气压下，在普通玻璃衬底上制备了不同硅烷体积分数的Si薄膜材料......
采用RF—PECVD在不锈钢衬底上制备了一系列NIP结构的硅薄膜太阳能电池，得到本征层的辉光功率分别是4W，7．2W，9W，20W，40W。用磁控溅射在P层......
采用扫描电镜中的电子背散射衍射（Electron Backscattering Diffraction,EBSD）技术,对硼掺杂的可动悬空硅薄膜和用于激光二极管（LED）的......
硅薄膜作为制备硅薄膜太阳电池的重要材料,得到了广泛研究和应用,而硅薄膜中的各种缺陷及缺陷密度则对薄膜电池的转换效率和稳定性......
建立超薄膜Si外延生长的晶格一动力学蒙特卡罗模型，并应用该模型模拟了Si原子在Si（111）基底上外延生长的过程．系统研究了沉积时间、基......
为了解决碳化硅难以进行光学加工的问题，该文采用射频磁控溅射方法，在碳化硅反射镜坯体上沉积与碳化硅具有相近热膨胀系数且易于进行......
硅基薄膜太阳能电池是光伏电池领域最具有发展前景的组件。采用非平衡磁控溅射技术制备氢化硅薄膜和SiNx／Si纳米多层膜，并对其结构与......
