【摘 要】
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针对MOS栅控晶闸管在电力电子领域中的功率开关应用,本文在常规MGT结构的基础上提出了一种具有逆向导通结构的MGT,RC-MGT.一方面,该RC-MGT通过增加阴极短路结构解决了常规MGT
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;东莞电子科技大学电子信息工程研究院,东莞523808电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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针对MOS栅控晶闸管在电力电子领域中的功率开关应用,本文在常规MGT结构的基础上提出了一种具有逆向导通结构的MGT,RC-MGT.一方面,该RC-MGT通过增加阴极短路结构解决了常规MGT不能常关的问题,并通过优化元胞尺寸使器件中的晶闸管进入闩锁,保持了常规MGT的低正向导通压降等优点.另一方面,通过增加一个阳极短路结构在器件内部集成了一个反向的PIN晶体管,使器件具有反向导通功能,在电力电子很多常用应用中可以有效地节约芯片面积、节省封装成本.通过仿真测试表明,该RC-MGT保持了常规MGT大电流能力和低正向导通压降,导通压降约为1.5V,实现了常关与反向导通功能,其关断时间显著优于常规MGT,其关断时间为0.5μs.
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