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磁记忆检测的概念被介绍到我国之后，由于其对磁场的高度敏感，无需磁化和表面预处理，可对铁磁体构件的应力集中进行无损检测，引起了广大无损检测研究者的关注。然而，由于在机理上研究的不足，应力集中的磁场畸变始终未能得到完善的解释，影响了方法的进一步发展。文章介绍了实验室课题组在磁记忆检测技术的机理研究方面的工作。首先通过机理实验和理论分析研究了应力集中形成的畸变磁场，明确了其中主要因素的影响规律，进而提出了基于接近原理模型和有限元方法的应力集中畸变场计算方法。