【摘 要】
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采用磁控溅射法在LNO/SiO2/Si基底上沉积了Mn/Y共掺杂的BST薄膜,沉积温度为400℃.研究了钛酸锶缓冲层对Mn/Y共掺的BST薄膜的微观结构及电学性质的影响.X射线衍射(XRD)和
【机 构】
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四川大学,材料科学与工程学院,成都 610064
【出 处】
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第十四届全国电介质物理、材料与应用学术会议
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采用磁控溅射法在LNO/SiO2/Si基底上沉积了Mn/Y共掺杂的BST薄膜,沉积温度为400℃.研究了钛酸锶缓冲层对Mn/Y共掺的BST薄膜的微观结构及电学性质的影响.X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析表明,所有的BST薄膜呈钙钛矿结构且表面均匀、无裂纹.研究表明,当缓冲层厚度约为20nm时,BST薄膜具有较好的电学性能,在室温和100kHz时,其介电常数为450、介电损耗为0.028、可调谐性为44%,在电场强度为500kV/cm时,其剩余极化强度为4.8μC/cm2,其漏电流密度比无缓冲层时的要降低近两个数量级,这些增强的性能归功于钛酸锶缓冲层的作用.
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