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研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)SCR结构ESD特性，提出了一种新的SCR结构，并测试出了其ESD，1-V特性和抗闩锁性能。该结构通过采用VSTI层减薄沟道区厚度，可以很容易获得维持电压连续可调的ESD防护用SCR器件，配合串联二极管的方法，能提供各种维持电压需求ESD防护用的SCR结构。