一种新型的ZigBee无线通信的HID电子镇流器

来源 :中国长三角照明科技论坛(2010·江苏) | 被引量 : 0次 | 上传用户:lwgalj2005
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综观国内外照明网络的控制方法,目前主要包括:时钟定时控制、环境参数检测控制、无线通信控制、控制线通信控制、电力线载波控制等方法。时钟定时控制方法和环境参数检测控制方法,都是对单条线路或单个节点的独立控制,没有远程控制功能因而不能实现监控,且电路参数固定,因此不能在线升级,多作为辅助控制方法。电力线通信控制,可对任一段线路或任一个节点进行自组网,实现智能化超远程监控,但其抗干扰能力不足,系统可靠性有待提高。控制线通信控制主要通过485, CAN等总线进行集中式智能化监控,具有一定的抗干扰能力,但存在成本增加、难于布线等问题。
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采用第一性原理方法,对无缺陷的CuInSe2(CIS)材料的(112)表面进行了研究。与体材料相比,表面原子发生了重构,导致了原子间成键情况的变化。Cu原子的位置下降使得Cu-Se键长变短,Cu原子的p轨道与Se原子的d轨道的排斥作用增强,带来了价带顶上升,禁带宽度减小。In原子的位置变化也使得In-Se问的成键发生改变。由于在CIS薄膜中存在大量的晶界,因此表面重构引起的禁带宽度的减小能够扩展C
提高三结GaAsP/GaAs/Ge量子阱太阳能电池转换效率的关键在于使3个子电池的电流达到匹配。将量子阱结构引入到三结电池的中间子电池可以降低禁带宽度,扩展吸收光谱,从而改善电流匹配,提高电池转换效率。本文首先对三结GaAsP/GaAs/Ge量子阱太阳能电池的结构进行了设计,并采用MOCVD的方法制备了含量子阱结构的三结GaAsP/GaAs/Ge太阳能电池,转换效率高于没有量子阱结构的参考三结电池
本文采用三步共蒸发方法,在不锈钢衬底上低衬底温度生长不同厚度的多晶CIGS薄膜,利用台阶仪、X射线荧光光谱(XRF)表征薄膜的厚度、成分,X射线衍射(XRD)、SEM及Hall测试研究薄膜厚度对薄膜结构和电学特性的影响。XRD结果表明,不同厚度的CIGS薄膜内部有Fe及Fe-Ni合金相存在,说明在450℃时已有一定量的Fe杂质向CIGS薄膜中扩散;GIXD分析表明,随着薄膜厚度的减少,Fe向薄膜袁
电沉积铜铟镓硒(ClGS)是一种低成本非真空制备薄膜太阳电池的方法,受到极大的关注。本文对从CuCl2、Incl3、GaCl3及H2SeO3所组成的酸性水溶液体系中,在Mo/玻璃衬底上电沉积得到的接近化学计量比的CIGS预置层进行了后处理,研究了升降温速率对薄膜结晶质量的影响。采用XRD、SEM对薄膜结构与形貌进行了观察和分析,并将其制备成电池测试其电学性能。结果表明,快速热处理(RTP)与普通的
为了进一步简化制备工艺和节约成本,我们研究采用近空间升华(CSS)法通过颗粒CdTe沉积制备CdTe薄膜。从而省去了制源这个环节。制备出了0.12 m2(30cm×40cm)的大面积CdTe薄膜,并对薄膜进行了XRD和SEM分析。将薄膜分成小块,做成结构为Glass/SnO2:F/CdS/CdTe/Au的太阳电池,测试了电池的光照I-V性质。
对有机太阳电池进行电极修饰,是显著提高器件电性能的有效手段之一。其中LiF是最为常见的阴极修饰材料。本文对添加LiF阴极修饰层的器件进行了细致的研究。通过MIS模型分析载流子和光生激子的输运情况,定性地解释了LiF阴极修饰层的工作机理和作用。同时对LiF阴极修饰层的厚度进行的研究,最终确定其最佳厚度值应该控制在1.5nm左右。
利用近空间升华法制备CdS多晶薄膜,同时将薄膜在400℃进行Cl-掺杂。利用光-电阻、暗电阻-温度关系等测试手段分析不同波长光照及温度对掺杂前后薄膜电学性能的影响。结果显示:在不同波长的光照下,薄膜显示出不同的电阻值,最小电阻出现在500 nm波长光附近;在光、暗态转换过程中发现,掺杂对电阻弛豫时间影响较大,掺杂后最短响应时间由原来对应的青光向蓝光移动;掺杂后,薄膜光、暗电导增加,电导激活能(Ea
本文从理论上研究了晶体硅与黄铜矿类半导体形成异质结太阳能电池的可能性,构造出基于p或n型硅片的不同异质结电池npp+或pnn+结构。通过AMPS-1D软件,本文分析了硅片厚度、背场掺杂浓度及厚度、黄铜矿层的带隙分布及厚度等对PNN+结构异质结光谱响应及J-V曲线的影响,并优化出转化效率达20.27%的电池结构。
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