【摘 要】
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对分别处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器进行了高低剂量率辐照.所获得的实验结果表明,工作状态影响着JFET 运放电路的辐射效应和辐射损伤.正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应.高剂量率辐照条件下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化要比零偏置状态严重;低剂量率辐照情况下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化小于零偏置状
【机 构】
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新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐 830011 中国科学院研究生院,北京 100080
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对分别处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器进行了高低剂量率辐照.所获得的实验结果表明,工作状态影响着JFET 运放电路的辐射效应和辐射损伤.正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应.高剂量率辐照条件下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化要比零偏置状态严重;低剂量率辐照情况下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化小于零偏置状态.高剂量率辐照会在JFET输入运放的基本单元双极晶体管中产生氧化物正电荷和界面陷阱.从氧化物正电荷和界面态与工作状态的关系方面,对JFET 运放电路的这种退化行为进行了解释.
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