论文部分内容阅读
硅基光子学与传统硅基微电子工艺兼容，被认为是实现光互联和光电集成的一种可能路径.然而硅为间接带隙半导体，无法高效发光.GaN基材料为第三代半导体，发光波长涵盖可见光波段，具有发光效率高、化学稳定性好等优点.
电注入激射的Si衬底GaN基微腔激光器
【摘 要】
：
硅基光子学与传统硅基微电子工艺兼容，被认为是实现光互联和光电集成的一种可能路径.然而硅为间接带隙半导体，无法高效发光.GaN基材料为第三代半导体，发光波长涵盖可见光波段，具有发光效率高、化学稳定性好等优点.
【机 构】
：
中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州,215123 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏
【出 处】
：
第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
：
2016年5期
其他文献
光学损耗是表征激光器性能的重要参数，对激光器的阈值电流、斜率效率有直接的影响。测量激光器的光学损耗对于激光器的研究具有巨大的推动作用。
p-GaN栅结构是一种极具潜力的实现增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法。目前，国内外各研究小组及公司普遍采用刻蚀工艺来制备这种器件。
ZnO作为一种直接宽禁带(3.37 eV)半导体化合物和在室温下具有很高的激子结合能(60 meV)以及优良的光学、电学和化学性能,ZnO在光、电、热等方面具有广泛的应用前景吸引了大量的关注.
本文针对87Rb芯片原子钟对激励光源的要求，开展了高温工作的795 nm垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的研究。采用压应变InAlGaAs/AlGaAs量子阱结构作为VCSEL器件的有源区；利用k·p理论分析了不同组份的InAlGaAs/AlGaAs量子阱结构的导/价带能级、自发辐射谱及增益谱，分析了不同量子阱结构的增益与温度的依赖关系；最终获得了最优的量子阱有源区结构。
TiAl合金的高化学活性，与常用的耐火材料会发生不同程度的化学反应，限制其定向凝固铸件的生产应用。本文以自合成的BaZrO3粉料作为型壳面层耐火材料，钇溶胶为粘结剂，制备BaZrO3基复合型壳。
CdZnTe(CZT)晶体是一种性能优异的室温半导体辐射探测器材料，具有高的电阻率、禁带宽度大、平均原子序数高、吸收系数大的特点.CZT探测器在核辐射检测方面已经被广泛运用于安全检查，环境监测、天体物理以及医学影像等领域.
超大规模集成电路工艺集成度的不断提高，要求栅介质的厚度越来越薄.由栅氧化层的隧穿效应而产生的漏电流等静态功耗随之成指数形式增长，传统硅集成电路工艺中的SiO2栅介质日益趋于极限，迫切需要寻找新的高k栅介质来取代SiO2.
有机薄膜晶体管(OTFT)与传统晶体管相比具有低成本、可弯曲等优点，在大面积柔性显示、传感器等领域具有广阔的应用前景。基于N型晶体管和P型晶体管共同构成的互补型集成电路(CMOS)是构成大规模集成电路芯片的核心。
稀土元素类选择性辖射器，由于其自身的选择性发射特性而备受关注，然而实验证明块状稀土氧化物的热膨胀系数大，抗热冲击能力差，开发稀土类薄膜型辐射体以替代稀土氧化物陶瓷块体，是改善其热稳定性和抗热冲击能力的一种途径。
近年来，有机金属卤化物(CH3NH3PbI3)钙钛矿材料因其可见光吸收系数高、载流子迁移率高且制备成本低廉等优点，成为了光伏领域的研究热点。在过去的四年中，钙钛矿太阳能电池的光电转换效率大幅提升，已经突破了20％。