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高温固相法合成了Ba1-xEuxGa2Si2O8(x=0.01,0.05,0.10,0.15)荧光材料.通过CASTEP模块计算BaGa2Si2O8能带结构,结果表明,导带主要来自Ba的5s轨道,价带主要来自O的2p轨道,Si和Ga原子对能带贡献较小,得到间接带隙为9.71 eV.光致发光光谱显示该材料发射主峰波长为467nm.进一步考察了该材料在电压(1～5 Kv)、电流(10～100uA)范围内阴极射线激发发光性能,发光强度随着电流、电压增加而增加,具有良好阴极射线发光性能.