【摘 要】
：
LIGA技术是微加工技术的一个重要手段,有着其它技术所不能够相比的优越性能.BSRE自1993年起开展了这项技术的研究工作,经历了近十年的研究,在许多方面都取得了突破性的进展,在很多领域已经表现出良好的应用前景.本文全面和系统地介绍了BSRF的LIGA技术最新研究成果,并欢迎广大同仁利用这一技术,制造出先进的微器件.
【出 处】
：
第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
论文部分内容阅读
LIGA技术是微加工技术的一个重要手段,有着其它技术所不能够相比的优越性能.BSRE自1993年起开展了这项技术的研究工作,经历了近十年的研究,在许多方面都取得了突破性的进展,在很多领域已经表现出良好的应用前景.本文全面和系统地介绍了BSRF的LIGA技术最新研究成果,并欢迎广大同仁利用这一技术,制造出先进的微器件.
其他文献
计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响.分析指出,掩模加工中的邻近畸变应在设计光学邻近校正掩模时予以注意,即在掩模设计时,应把掩模加工中的邻近效应和光刻图形传递过程的邻近效应进行总体考虑,以便设计出最优化的掩模,获得最好的邻近效应校正效果.
本文介绍了中国科技大学国家同步辐射实验室的同步辐射光源深度光刻光束线和实验站,深度同步辐射光刻实验的初步结果.得到了厚为1mm,线宽为5μm、高为150μm、高宽比达到30以及倾斜等复杂图形.
在SOI材料的制备技术中,为了减少离子的浪费和提高注入能量,避免采用更大的真空室和高压脉冲调制器,本文提出了直流等离子体浸没式离子注入技术,并对其原理进行探讨.
智能剥离(smart cut)技术是近年来刚刚兴起的一种新型的形成SOI材料的方法.它所形成的SOI材料其顶层硅膜具备单体晶硅的优点,同时又克服了利用普通键合技术形成SOI材料的减薄困难,是当前SOI技术研究中的前沿领域.本文讨论了智能剥离技术中的一些问题,包括:(1)SOI材料的表面缺陷(泡,微空洞,边缘缺陷等)的形貌,起源及消除办法;(2)给出SOI材料顶层硅内重金属杂质分布的SIMS测量结果
为实现铁电薄膜和半导体硅的集成,本实验首先采用真空电子束蒸发法在Si(100)衬底上淀积一层为20nm层的AlO过渡层,接着在AlO过渡层上采用准分子脉冲激光淀积(PLD)法制备Pb(ZrTiO(PZT)铁电薄膜.X光电子能谱(XPS)测试表明,在高真空下,电子束蒸发AlO能获得高质量的AlO薄膜.扩展电阻测试表明PZT薄膜的厚度大约为120nm.X射线衍射(XRD)测试说明,退炎前,PZT在Al
SIMOX和Smart-cut SOI技术已走向商业化,但一般SOI结构是以SiO作为绝缘埋层,导致一些不利的影响(如自加热效应等),限制了其应用,为解决这些问题和满足一些特殊器件/电路的要求,探索研究新的SOI研究领域新的热点.如GPSOI、SiCOI、GeSiOI、Si on AlN、SOIM、SON、SSOI等.本文结合我们的部分工作,报道SOI新结构及其应用.
运用金属有机物气相外延设备,在氮化镓/蓝宝石复合衬底上外延生长铟镓氮薄膜,该薄膜为单晶,其中铟组份可调(从0到26﹪),且对应的峰值波长在360～555nm范围内变化;在光致激发下该薄膜实现了带边发光,但发光强度随着铟含量的增加而下降;虽然在铟镓氮薄膜中未掺入任何杂质,但其都具有很高的电子浓度.
随着生物芯片集成度的提高,利用反应物的量减少,其激发所产生的荧光信号也越来越微弱.因此,对高精度、高分辨率生物芯片检测仪的要求迫在眉睫.本文探讨了一种激光共聚焦生物芯片扫描仪的成像原理和高分辨率特性,其中指出激光共聚焦生物芯片扫描仪由于采用了探测怨声针孔,因此视场大大减小,信噪比大大提高,同时每幅图像逐点扫描形成,因而可成高分辨率的像.
本文介绍激光干涉光刻的基本原理,主要技术及其应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析讨论.
随着MEMS在各个领域的运用,人们也开始探讨低成本、操作方便的LIGA工艺.本文重点介绍了一种用于深紫外光深度光刻实验装置的设计,并将该实验装置成功的应用于LIGA工艺的深度光刻中,光刻实验结果表明深紫外光深度光刻具有很大的实用意义.