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使用新开发SONOS器件模拟器进行SONOS器件的电学特性模拟和评估。模拟器基于基本物理模型，详细考虑了SONOS栅介质层中的载流子隧穿、俘获、复合、发射和载流子堆积过程，并且能够计算拥有复合栅介质的SONOS器件；可以有效地评估及优化SONOS存储器的设计。模拟了采用复合的隧穿介质层和高-k阻挡介质层，来改进SONOS的电学性能。改进的SONOS器件在保持与传统SONOS器件相同保持栉陛的情况下，明显加快了写入和擦除的速度。