【摘 要】
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制备了汞溴红敏化的ZnO/SnO复合光电化学池.在最佳混合比例下,ZnO/SnO复合光电池在30W/m522nm单色光的照射下得到0.892mA/cm的短路光电流(I)和0.411V的开路光电压(V),从而得到4.64﹪的光电转换效率(η).与ZnO和SnO光电池相比,复合光电池的I均提高,而V小于ZnO电池的V.光电压谱表明,在复合光电池中,ZnO可能包覆SnO粒子,染料主要吸附在ZnO粒子上,
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制备了汞溴红敏化的ZnO/SnO<,2>复合光电化学池.在最佳混合比例下,ZnO/SnO<,2>复合光电池在30W/m<2>522nm单色光的照射下得到0.892mA/cm<2>的短路光电流(I<,sc>)和0.411V的开路光电压(V<,oc>),从而得到4.64﹪的光电转换效率(η).与ZnO和SnO<,2>光电池相比,复合光电池的I<,sc>均提高,而V<,oc>小于ZnO电池的V<,oc>.光电压谱表明,在复合光电池中,ZnO可能包覆SnO<,2>粒子,染料主要吸附在ZnO粒子上,ZnO和SnO<,2>之间的能量势垒是短路光电流增大的原因.暗电流的测试表明,ZnO加入到SnO<,2>能有效抑制复合电池的暗电流.
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