切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
会议论文
金属铝局域表面等离激元耦合的ZnO自发与受激辐射增强
金属铝局域表面等离激元耦合的ZnO自发与受激辐射增强
来源 :第十四届全国发光学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wolantu
【摘 要】
:
表面等离激元(SPP)是在金属表面自由电子与电磁场(光场)激发相互作用形成的电子振荡波,具有高度的空间局域性和局域场增强特性,在亚波长光学器件、表面增强光谱以及非线性光学等领域有着非常广泛的应用。
【作 者】
:
卢俊峰
徐春祥
理记涛
王悦悦
林毅
【机 构】
:
东南大学,生物科学与医学工程学院,生物电子学国家重点实验室,江苏,南京,210096 China
【出 处】
:
第十四届全国发光学学术会议
【发表日期】
:
2016年5期
【关键词】
:
ZnO微米棒
Al纳米颗粒
PL
Lasing
LSPs
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
表面等离激元(SPP)是在金属表面自由电子与电磁场(光场)激发相互作用形成的电子振荡波,具有高度的空间局域性和局域场增强特性,在亚波长光学器件、表面增强光谱以及非线性光学等领域有着非常广泛的应用。
其他文献
复合空穴传输层对全溶液法QLED性能影响的研究
我们利用三种空穴传输材料分别与常用空穴传输材料TFB 混合,采用溶液旋涂法制备了混合空穴传输层,研究复合空穴传输层对于QLED 器件亮度和电流性能的影响。由于TFB和空穴传输材料的HOMO 能级形成阶梯势垒,且这三种有机材料的空穴迁移率与TFB 相差不大,CBP 甚至超过TFB,到1x10-3cm2/V·s,保持总的旋涂液量不变可使空穴传输层的厚度基本一致,因此使空穴的注入势垒将会降低,空穴注入率
会议
空穴传输层
混合
QLED
量子点
全溶液法
Mesoporous Aluminum Hydroxide Synthesized by a Single-Source Precursor Decomposition Approach as a H
Nano-sized aluminum hydroxide as an abundant and inexpensive material with wide photoluminescence spectra can be used as blue phosphor in UV pumped white light-emitting diodes,however,low photolumines
会议
aluminum hydroxide
rare-earth free
blue phosphor
UV WLED
Eu3+掺杂的GdPO4·nH2O:纳米材料光谱性质研究
会议
载流子局域化现象对ZnO纳米结构发光与探测器性能影响研究
会议
Er3+重掺Gd2(MoO4)3纳米晶的上转换发光特性研究
会议
InAs/GaAs量子点激光器材料中的深能级
半导体材料中杂质和缺陷对半导体器件的性能有重要的影响。随着对材料的结构、力学、化学和电学特性的深入研究,其缺陷控制、杂质行为、杂质与缺陷相互作用将是需要进行深入研究的很重要的方面。
会议
InAs/GaAs量子点
深中心
深能级瞬态谱(DLTS)
气源分子束外延(GSMBE)
一种通过空穴掺杂方法提高量子点LED载流子注入平衡的新技术
量子点具有发光纯度高、颜色易调节、稳定性好、兼容溶液加工等优点,随着其性能取得突破性进展,量子点LED 已成为新型显示领域的研究热点。该工作通过在倒置结构量子点发光器件的空穴传输层CBP 中掺入MoO3,并设计出以此掺杂CBP 为结构单元的具有多层周期掺杂的空穴传输层,显著地提高了器件的空穴注入能力,从而改善了器件中载流子的注入平衡。同时本文系统地研究了MoO3 在空穴传输层CBP 的掺杂比例对器
会议
量子点发光二极管
掺杂
掺杂比例
空穴传输层
一种水溶性单线态氧光学纳米传感器的制备及应用
会议
室温两相共存的CH3NH3PbBr3辐射发光特性
相结构对半导体的电子能态、载流子输运、复合发光过程有较大影响.有机-无机杂化钙钛矿CH3NH3PbX3(X=Cl,Br,I)作为新兴的半导体光伏材料,其相结构具有明显的温度依赖性1.当温度从5K 升至室温时,其结构可由不对称的斜方相转变为四方相或立方相.
会议
CH3NH3PbBr3
光致发光
相变
两相共存
Au表面等离子体诱导GaN薄膜发光增强机理研究
贵金属和半导体复合体系中表面等离子体诱导的发光增研究一直是一个热点,但针对多发光中心的半导体与金属结合后的增强机理的认识尚不清晰。本文通过小型离子溅射仪在GaN 薄膜上溅射了Au 纳米颗粒,研究Au 表面等离子体对GaN 的发光调制,揭示其中的物理机理。
会议
局域表面等离子体
Au纳米颗粒
PL增强
电子转移
与本文相关的学术论文