【摘 要】
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用化学气相淀积方法在Si（100）衬底上制备Si 缓冲层、继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C 合金薄膜。研究表明，较低的Si 缓冲层或Si1-xGex:C 外延层生长温度均不利于获得理想的S
【机 构】
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南京大学物理学系，江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093
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用化学气相淀积方法在Si（100）衬底上制备Si 缓冲层、继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C 合金薄膜。研究表明，较低的Si 缓冲层或Si1-xGex:C 外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-xGex:C 合金薄膜，Si 缓冲层和 Si1-xGex:C 外延层的生长温度均为750℃时可以获得质量较高、组分均匀的Si1-xGex:C 合金薄膜。本文通过材料的结构表征结果分别对缓冲层和外延层的生长温度影响进行了分析研究。
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