【摘 要】
:
采用ZnTe/ZnTe:Cu作为复合背接触层,对比有、无复合背接触层CdTe太阳电池的参数.研究了本征层厚度、掺杂浓度和退火温度对太阳电池性能的影响.结果表明复合背接触层能改善背接触,且能较大幅度提高CdTe太阳电池的转换效率,本征层厚度和高温退火都能提高开路电压.用ZnTe/ZnTe:Cu作为复合背接触层获得了填充因子为73.14﹪,转换效率为12.93﹪的小面积电池.
论文部分内容阅读
采用ZnTe/ZnTe:Cu作为复合背接触层,对比有、无复合背接触层CdTe太阳电池的参数.研究了本征层厚度、掺杂浓度和退火温度对太阳电池性能的影响.结果表明复合背接触层能改善背接触,且能较大幅度提高CdTe太阳电池的转换效率,本征层厚度和高温退火都能提高开路电压.用ZnTe/ZnTe:Cu作为复合背接触层获得了填充因子为73.14﹪,转换效率为12.93﹪的小面积电池.
其他文献
介绍了一种晶体硅薄膜电池衬底用硅带的制备工艺——SSP(Silicon Sheet from Powder)颗粒硅带制备技术,并对工艺进行了优化,用工业级硅粉制备出厚度小于1mm的硅带;对硅带的表面形貌、结构性能作了初步分析.
本文首先就低温(140℃)下用Zn:Al合金靶直流反应磁控溅射法沉积ZnO:Al透明导电膜的工艺条件进行了优化研究.然后在单结(glass/SnO/pin/)或双结(glass/SnO/pin/pin/)非晶硅电池上沉积约70-700nm厚的ZnO透明导电膜,最后再用电阻蒸发法沉积Al电极.实验获得了较好的n/ZnO界面,实现了ZnO/Al背电极的增反作用,使电池的短路电流增加1-2mA/cm,光
本文对颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的发展前景进行了较为详尽的描述.通过从材料、工艺、性能和经济等多方面分析,指出这种高性能价格比太阳电池具有很好的发展前景.随着制备工艺的进一步优化,颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池的研究开发,将是大幅度降低太阳电池成本的一条可能的新途径.
利用氢等离子体处理晶化a-Si:H薄膜,对晶化后的样品进行X射线衍谱(XRD)、傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)和Raman散射谱的测试,讨论和比较了薄膜的Raman谱和FT-IR谱中Si-H键合模式随射频功率、退火温度和退火时间的变化情况.
通过在颗粒硅带(SSP--Silicon Sheet from Powder)衬底上进行外延多晶硅薄膜、发射区扩散、掩膜法制作上下电极等工艺,制备了以颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜(poly-CsiTF)太阳电池,所制得电池的最高转换效率达到6.05﹪(电池面积1cm).通过对电池性能参数的测量、分析,讨论了颗粒硅带制备工艺以及外延层质量等因素对太阳电池性能原影响.
本文在实验的基础上,研究了金属氧化物透明导电薄膜(tin oxide)载流子的输运机理,给出了该机理的理论模型,常温下,金属氧化物透明导电薄膜的载流子的输运是由晶粒间的非晶晶界散射所决定,计算得到的非晶带尾态的激活能为0.037eV.
在制备硫化镉薄膜的过程中,为了减少CBD法中胶体颗粒,我们改进了CBD法的装置,使用了超声搅拌.制备了硫化镉薄膜,并对它进行了退火处理,分析了它的XPS.发现超声波震荡有利于改善薄膜的性能和控制成膜条件.同时还观察到经退火后薄膜的窗口效应得到了增强,由于硫化镉薄膜发生了释氧反应,硫化镉薄膜由含多种氧化物相向较单一的多晶硫化镉相转化,因此退火有利于改善薄膜的性能.
CuInS薄膜是最有前途的多晶薄膜太阳能电池材料.为了用化学水浴法制备CuInS薄膜,本文研究了化学水浴法制备CuS薄膜,用SEM、XRD、EDX分别研究了薄膜的形貌、结构和组分.并且对薄膜的光学性质进行了讨论.
本实验利用电沉积的方法制备CuS薄膜.研究了不同的络合剂,不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuS薄膜性质的影响.研究发现:不同的络合剂可以制备得到不同相的CuS薄膜,用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的CuS其主要晶面是(102),当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的CuS其主要晶面是(842).当用NaSO作为硫源的时候得到的是单斜的CuS其主要界面是(842),当用硫脲作为硫
多晶CuInSe或称Cu(In,Ga)Se(简称CIS或CIGS)材料在薄膜太阳电池中具有重要的应用.CIS/CIGS的制备方法很多,各种制备方法的薄膜,其形成机理与不相同,本文试图讨论几种不同的制备方法下,薄膜的形成机理.