【摘 要】
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利用交流阻抗技术(EIS)测试了GdO掺杂CeO固体电解质的电导率.当测试温度低于695℃时,阻抗谱由2个变形的半圆弧组成;而高温时仅有1个变形的半圆弧.固体电解质的晶格电导率、晶
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
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利用交流阻抗技术(EIS)测试了Gd<,2>O<,3>掺杂CeO<,2-δ>固体电解质的电导率.当测试温度低于695℃时,阻抗谱由2个变形的半圆弧组成;而高温时仅有1个变形的半圆弧.固体电解质的晶格电导率、晶界电导率和总电导率与测试温度的关系服从Arrhenius公式.材料的电导率随成型压力的增大先增大,然后减小.随烧结温度的升高,材料电导率是升高的.
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