【摘 要】
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将等离子体引入热丝化学气相沉积(HWCVD),制备了多晶硅薄膜,通过Raman散射、XRD、红外吸收谱等手段研究了薄膜结构性质.结果表明,与单纯的热丝技术相比,等离子体助热丝CVD技术(PE-HWCVD)在一定条件下有助于薄膜的晶化和提高薄膜均匀性,增加薄膜致密度,降低薄膜中由于后氧化引入的氧含量.Auger谱研究表明等离子体的引入大大降低了硅化物在高温热丝表面的形成.
【机 构】
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中国科学院研究生院物理学部(北京)
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将等离子体引入热丝化学气相沉积(HWCVD),制备了多晶硅薄膜,通过Raman散射、XRD、红外吸收谱等手段研究了薄膜结构性质.结果表明,与单纯的热丝技术相比,等离子体助热丝CVD技术(PE-HWCVD)在一定条件下有助于薄膜的晶化和提高薄膜均匀性,增加薄膜致密度,降低薄膜中由于后氧化引入的氧含量.Auger谱研究表明等离子体的引入大大降低了硅化物在高温热丝表面的形成.
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