【摘 要】
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非晶硅薄膜的高速生长将极大地缩短生产时间,降低生产成本.本文针对用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法生长非晶硅薄膜材料进行了研究.在合适的沉积条件下,我们获得了沉积速率为53.6A/秒的a-Si:H本征层材料,其光敏性高达2.33×10(光电导为9.85×10,暗电导为4.23×10).与射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)系统制备的样品相比,其光稳定性敏性相似,
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所(天津)
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非晶硅薄膜的高速生长将极大地缩短生产时间,降低生产成本.本文针对用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法生长非晶硅薄膜材料进行了研究.在合适的沉积条件下,我们获得了沉积速率为53.6A/秒的a-Si:H本征层材料,其光敏性高达2.33×10<6>(光电导为9.85×10<-5>,暗电导为4.23×10<-11>).与射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)系统制备的样品相比,其光稳定性敏性相似,而沉积速率提高了25倍以上.
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